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JANTX1N485B PDF预览

JANTX1N485B

更新时间： 2024-09-08 12:28:31
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
1页 41K
描述
METALLURGICALLY BONDED, HERMETICALLY SEALED

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JANTX1N485B 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-7
包装说明：GLASS PACKAGE-2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.33
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：O-LALF-W2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最大输出电流：0.2 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/118F表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

JANTX1N485B 数据手册

  
TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http: //www.microsemi.com  
SWITCHING DIODE  
– METALLURGICALLY BONDED  
– HERMETICALLY SEALED  
– DOUBLE PLUG CONSTRUCTION  
Qualified per MIL-PRF-19500/118  
DEVICES  
QUALIFIED LEVELS  
JAN  
1N485B  
JANTX  
JANTXV  
MAXIMUM RATING AT 25°C  
Operating Temperature:  
Storage Temperature:  
-65°C to +175°C  
-65°C to +175°C  
.018" - .022"  
.46mm - .56mm  
Surge Current, sine, 8.3mS:  
Total Power Dissipation, 25°C:  
Max. Operating Current, 25°C:  
D.C. Reverse Voltage (VRWM):  
2A  
500mW  
200mA  
1.00" - 1.50"  
25.4mm – 38.1mm  
180V  
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
VF  
.140" - .180"  
3.56mm – 4.57mm  
IR  
Ambient  
(°C)  
IF  
mA  
Min  
V
Max  
V
Ambient  
(°C)  
Min  
µA  
Max  
µA  
V (dc)  
180  
25  
100  
100  
0.8  
-
1.0  
1.2  
25  
25  
-
-
-
0.025  
1.0  
-55  
200  
.056" - .075"  
1.42mm – 1.9mm  
150  
180  
5.0  
DESIGN DATA  
Case: Hermetically sealed glass package per  
MIL-PRF-19500/118 DO-35 outline  
Lead Material: Copper clad steel  
Lead Finish: Tin / Lead  
Thermal Impedance (ZθJX): 70°C/W maximum  
Polarity: Cathode end is banded  
LDS-0029 Rev. 1 (072072)  
Page 1 of 1  
1

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JANTX1N485B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JAN1N485B MICROSEMI

类似代替

 Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, GLASS PACKAGE-2
1N485B MICROSEMI

类似代替

 High Conductance DO-35 Diodes

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX1N486B MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, GLASS PACKAGE-2
JANTX1N4938-1 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon, SIMILAR TO DO-7, 2 PIN
JANTX1N4938R MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon,
JANTX1N4938UR-1 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon, DO-213AA, DO-213AA, 2 PIN
JANTX1N4942 MICROSEMI

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 		MILITARY RECTIFIERS
JANTX1N4944 MICROSEMI

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 		VOIDLESS-HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS
JANTX1N4944 SEMTECH

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, SIMILAR TO DO-41, 2 PIN
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 		VOIDLESS-HERMETICALLY SEALED FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS
JANTX1N4946 SEMTECH

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, SIMILAR TO DO-41, 2 PIN
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