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1N485BTR

更新时间： 2024-01-23 12:24:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 117K
描述
通用低泄露二极管

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1N485BTR 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE PACKAGE-2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
Factory Lead Time：1 week风险等级：1.11
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-35JESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：2 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.5 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1N485BTR 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
Small Signal Diode  
1N485B  
AXIAL LEAD (DO−35)  
CASE 017AG  
(Color Band Denotes Cathode)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
(Notes 1, 2, 3)  
A
Symbol  
Parameter  
Value  
200  
Unit  
V
V
RRM  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
Average Rectified Forward Current  
MARKING DIAGRAM  
I
200  
mA  
A
F(AV)  
I
Non−repetitive Peak Forward Surge Current  
Pulse Width = 1.0 s  
Pulse Width = 1.0 ms  
485  
B
XY  
FSM  
1.0  
4.0  
T
Storage Temperature Range  
−65 to +200  
175  
°C  
°C  
stg  
485B = Specific Device Code  
XY = Date Code  
T
Operating Junction Temperature  
J
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode  
may be impaired.  
ORDERING INFORMATION  
2. These ratings are based on a maximum junction temperature of 200°C.  
3. These are steady limits. The factory should be consulted on applications  
involving pulsed or low duty cycle operations.  
†
Device  
Package  
Shipping  
1N485B  
DO−35  
(Pb−Free, Halide Free)  
5000 Units /  
Bulk Bag  
THERMAL CHARACTERISTICS  
1N485BTR  
10000 Units /  
Tape & Reel  
Symbol  
Parameter  
Power Dissipation  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Value  
500  
Unit  
mW  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
P
D
R
q
JA  
300  
°C/W  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min Max Unit  
V
R
Breakdown  
Voltage  
I
R
= 5 mA  
200  
−
V
V
Forward Voltage  
Reverse Current  
I = 100 mA  
−
1.0  
V
F
F
I
R
V
R
V
R
= 175 V  
= 175 V, T = 150°C  
−
−
25  
5
nA  
mA  
A
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for  
the listed test conditions, unless otherwise noted. Product performance may not  
be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different  
conditions.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2003  
1
Publication Order Number:  
June, 2023 − Rev. 1  
1N485B/D  
 
123

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