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1N485

更新时间: 2024-11-06 20:21:15
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德州仪器 - TI 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 107K
描述
0.1A, SILICON, SIGNAL DIODE

1N485 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.75
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.1 V
JESD-30 代码:O-GALF-W2最大非重复峰值正向电流:1 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最大输出电流:0.1 A
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.25 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:180 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N485 数据手册

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