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NTE177

更新时间： 2024-01-28 20:09:57
品牌 Logo 应用领域
NTE 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 22K
描述
General Purpose Silicon Rectifier

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NTE177 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：2.11
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JEDEC-95代码：DO-35JESD-30 代码：O-LALF-W2
元件数量：1端子数量：2
最大输出电流：0.16 A封装主体材料：GLASS
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.05 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

NTE177 数据手册

 浏览型号NTE177的Datasheet PDF文件第2页 
NTE177  
General Purpose Silicon Rectifier  
Description:  
The NTE177 is a general purpose silicon rectifier in a DO35 case designed for switching applications.  
Absolute Maximum Ratings:  
Continuous Reverse Voltage, VR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150V  
Peak Repetitive Reverse Voltage, VRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V  
Forward DC Current, IF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250mA  
Average Forward Current, IF(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250mA  
Repetitive Peak Forward Current, IFRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 625mA  
Non–Repetitive Peak Forward Current, IFSM  
(t < 1s, TJ = +25°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A  
(t =1µs, TJ = +25°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A  
Total Power Dissipation (TA = +25°C), Ptot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400mW  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C  
Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +375°C  
Electrical Characteristics: (TJ = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
IF = 100mA  
Min Typ Max Unit  
–
–
–
–
–
–
–
1.0  
V
V
Instantaneous Forward Voltage Drop  
VF  
IF = 200mA  
1.25  
Reverse Current  
IR  
VR = 150V  
–
100 nA  
VR = 150V, TJ = +150°C  
–
100 µA  
Breakdown Voltage  
V(BR)R IR = 100µA  
200  
–
–
V
Diode Capacitance  
Cd  
ri  
VR = 0, f = 1MHz  
1.5 5.0 pF  
Differential Forward Resistance  
Reverse Recovery Time  
IF = 10mA  
–
5
–
–
Ω
tr  
When switched from  
–
50  
ns  
IF = 30mA to IR = 30mA,  
RL = 100Ω, measured at IR = 3mA  
12

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