是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DO-35 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | 风险等级: | 5.53 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1 V |
JESD-30 代码: | O-GALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流: | 2 A |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 200 °C | 最大输出电流: | 0.2 A |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散: | 0.25 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 130 V | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N484BR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 150V V(RRM), Silicon, | |
1N484BX | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 150V V(RRM), Silicon, | |
1N484C | ETC |
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silicon diode | |
1N485 | TDK |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 180V V(RRM) | |
1N485 | TI |
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0.1A, SILICON, SIGNAL DIODE | |
1N485 | NJSEMI |
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Diode Switching 180V 0.1A 2-Pin DO-7 | |
1N4850 | NJSEMI |
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Diode | |
1N4851 | NJSEMI |
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Diode | |
1N4852 | NJSEMI |
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Diode | |
1N4853 | NJSEMI |
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Diode |