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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.44 | 其他特性： | GOLD BONDED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | GERMANIUM | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-7 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 100 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 0.1 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 最大功率耗散： | 0.08 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 20 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN (315) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4502TR | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 20V V(RRM), Germanium, DO-7 |
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| 1N4502TRLEADFREE | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 20V V(RRM), Germanium, DO-7, |
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| 1N4506 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N4506E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI |
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| 1N4506R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI |
|
| 1N4507 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N4507R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI |
|
| 1N4507RE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI |
|
| 1N4508 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N4508 | NJSEMI |
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Diode Switching 600V 22A 2-Pin DO-4 |
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