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1N4506

更新时间: 2024-09-12 22:34:55
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 132K
描述
SILICON POWER RECTIFIER

1N4506 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-4包装说明:O-MUPM-D1
针数:1Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.53
应用:POWER外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.4 V
JEDEC-95代码:DO-203AAJESD-30 代码:O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流:250 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:22 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

1N4506 数据手册

 浏览型号1N4506的Datasheet PDF文件第2页 

1N4506 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N1203R MICROSEMI

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JANTX1N1204AR MICROSEMI

功能相似

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 P

与1N4506相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N4506E3 MICROSEMI

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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI
1N4506R MICROSEMI

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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI
1N4507 MICROSEMI

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SILICON POWER RECTIFIER
1N4507R MICROSEMI

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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI
1N4507RE3 MICROSEMI

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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI
1N4508 MICROSEMI

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SILICON POWER RECTIFIER
1N4508 NJSEMI

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Diode Switching 600V 22A 2-Pin DO-4
1N4508A NJSEMI

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Diode Switching 600V 22A 2-Pin DO-4
1N4508R MICROSEMI

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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI
1N4508RE3 MICROSEMI

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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI