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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1N4153UR-1
1N4153UR-1 PDF预览

1N4153UR-1

更新时间： 2024-11-06 22:14:51
品牌 Logo 应用领域
CDI-DIODE 整流二极管开关
页数 文件大小 规格书
2页 35K
描述
SWITCHING DIODE

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1N4153UR-1 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MELF-2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.62
Is Samacsys：N其他特性：METALLURGICALLY BONDED
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-213AAJESD-30 代码：O-LELF-R2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最大输出电流：0.15 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM认证状态：Not Qualified
最大反向恢复时间：0.004 µs表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：WRAP AROUND
端子位置：ENDBase Number Matches：1

1N4153UR-1 数据手册

 浏览型号1N4153UR-1的Datasheet PDF文件第2页 
1N4153UR-1  
CDLL4153  
• 1N4153UR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, AND JANTXV  
PER MIL-PRF-19500/337  
• SWITCHING DIODE  
• HERMETICALLY SEALED  
• METALLURGICALLY BONDED  
• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION  
MAXIMUM RATINGS  
Junction Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +175°C  
Operating Current: 150 mA @ T = +25°C  
A
Derating: 1.0 mA dc/°C Above T = +25°C  
A
Forward Surge Current: 2A (pk), (tp = 1µs); 0.25A (pk), (tp = 1s)  
MILLIMETERS  
INCHES  
DIM MIN MAX MIN MAX  
D
F
1.60  
0.41  
3.30  
1.70 0.063 0.067  
0.55 0.016 0.022  
3.70 .130 .146  
G
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C, unless otherwise specified.  
G1  
S
2.54 REF.  
0.03 MIN.  
.100 REF.  
.001 MIN.  
Type  
V
V
I
1
C
t
rr  
BR  
RWM  
R1  
R2  
V
= 50 V dc  
= 25°C  
V
= 50 V dc  
T = 150°C  
A
V = 0; f = 1 Mhz;  
R
R
A
R
I
= 5 µA  
T
R
FIGURE 1  
V dc  
V (pk)  
nA dc  
µA dc  
pF  
ns  
DESIGN DATA  
4153UR-1  
CDLL4153  
75  
75  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
2.0  
2.0  
4
4
CASE: DO-213AA, Hermetically sealed  
glass case. (MELF, SOD-80; LL34)  
FORWARD VOLTAGE LIMITS – ALL TYPES  
V
V
V
V
V
V
F1  
F2  
F3  
F4  
F5  
F6  
LEAD FINISH: Tin / Lead  
Limits  
I
= 100 µA dc  
I
= 250 µA dc  
I
= 1 mA dc  
I
= 2 mA dc  
I
= 10 mA dc  
I
F
= 20 mA dc  
F
F
F
F
F
THERMAL RESISTANCE (R  
100 °C/W maximum at L = 0  
):  
OJEC  
V dc  
V dc  
V dc  
V dc  
V dc  
V dc  
minimum  
maximum  
0.49  
0.55  
0.53  
0.59  
0.59  
0.67  
0.62  
0.70  
0.70  
0.81  
0.74  
0.88  
THERMAL IMPEDANCE: (Z  
˚C/W maximum  
): 70  
JX  
O
POLARITY: Cathode end is banded.  
MOUNTING SURFACE SELECTION:  
The Axial Coefficient of Expansion  
(COE) Of this Device is Approximately  
+6PPM/°C. The COE of the Mounting  
Surface System Should Be Selected To  
Provide A Suitable Match With This  
Device.  
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176  
PHONE (781) 665-1071  
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com  
FAX (781) 665-7379  
E-mail: mail@cdi-diodes.com  
12

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与1N4153UR-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N4153UR-1E3 MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MELF-2
1N4153UR-1HR MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-213AA,
1N4153UR-1HRS MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-213AA,
1N4153UR-1HRV MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, Silicon, DO-213AA,
1N4153VG ROHM

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon
1N4153VM ROHM

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon
1N4153X MICROSEMI

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 75V V(RRM), Silicon,
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 		Silicon Epitaxial Planar Diode

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