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1N4154

更新时间： 2024-01-20 15:38:36

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威世 - VISHAY		二极管
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4页	42K
描述
Silicon Epitaxial Planar Diode

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1N4154 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.62	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.1 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	35 V
最大反向电流：	0.1 µA	最大反向恢复时间：	0.002 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

1N4154 数据手册

1N4154

Vishay Telefunken

Silicon Epitaxial Planar Diode

Applications

Extreme fast switches

94 9367

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Test Conditions

Type

Symbol

RRM

Value

Unit

Peak forward surge current

Repetitive peak forward current

Forward current

Average forward current

Power dissipation

t =1 s

500

300

150

440

500

175

FSM

FRM

V =0

FAV

l=4mm, T =45 C

l=4mm, T 25 C

Junction temperature

Storage temperature range

stg

–65...+175

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Junction ambient

Test Conditions

l=4mm, T =constant

Symbol

thJA

Value

350

Unit

K/W

Document Number 85524

Rev. 2, 01-Apr-99

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N4154_09	FAIRCHILD	High Conductance Fast Diode	获取价格
1N4154_12	VISHAY	Small Signal Fast Switching Diodes	获取价格
1N4154-13	DIODES	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 25V V(RRM), Silicon, DO-35,	获取价格
1N4154-1E3	MICROSEMI	Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 35V V(RRM), Silicon, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERMETIC	获取价格
1N4154-A	DIODES	Rectifier Diode, 1 Element, Silicon	获取价格
1N4154-AP	MCC	Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 35V V(RRM), Silicon, DO-35, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2	获取价格