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1N4154T50R

更新时间： 2024-11-09 20:07:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 53K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 35V V(RRM), Silicon, DO-35, GLASS, DO-35, 2 PIN

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1N4154T50R 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-35
包装说明：O-LALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.68
其他特性：FAST SWITCHES外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1 V
JEDEC-95代码：DO-35JESD-30 代码：O-LALF-W2
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：1 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.5 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：35 V最大反向恢复时间：0.004 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1N4154T50R 数据手册

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DISCRETE POWER AND SIGNAL  
TECHNOLOGIES  
1N4154  
General Description:  
Features:  
The high breakdown voltage, fast switching speed and high  
forward conductance of this diode packaged in a DO-35  
miniature Glass Axial leaded package makes it desirable also  
as a general purpose diode.  
• 500 milliwatt Power Dissipation package.  
• Fast Switching Speed,  
• Typical capacitance less than 1.0 picofarad.  
Ordering:  
High Conductance  
Fast Diode  
• 13 inch reel, 50 mm (T50R) & 26 mm (T26R) Tape;  
10,000 units per reel.  
Absolute Maximum Ratings* TA = 25OC unless otherwise noted  
Sym  
Parameter  
Value  
Units  
Tstg  
TJ  
Storage Temperature  
-65 to +200  
175  
OC  
OC  
Operating Junction Temperature  
PD  
Total Power Dissipation at TA = 25OC  
Linear Derating Factor from TA = 25OC  
Thermal Resistance Junction-to-Ambient  
Working Inverse Voltage  
500  
mW  
mW/OC  
OC/W  
V
3.33  
300  
ROJA  
Wiv  
IO  
35  
Average Rectified Current  
100  
mA  
IF  
DC Forward Current (IF)  
300  
mA  
if  
Recurrent Peak Forward Current (IF)  
Peak Forward Surge Current (IFSM) Pulse Width = 1.0 second  
Pulse Width = 1.0 microsecond  
400  
mA  
iF(surge)  
1.0  
Amp  
Amp  
4.0  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired  
0.500 Minimum  
12.70 Typ 1.000  
CATHODE  
BAND  
0.200 (5.08)  
MARKING  
0.120 (3.05)  
LOGO  
1N  
41  
54  
0.022 (0.558) Diameter  
0.018 (0.458) Typ 20 mils  
0.090 (2.28) Diameter  
0.060 (1.53)  
Electrical Characteristics  
TA = 25OC unless otherwise noted  
SYM  
BV  
CHARACTERISTICS  
MIN  
MAX  
UNITS  
TEST CONDITIONS  
Breakdown Voltage  
Reverse Leakage  
35  
V
IR  
=
=
5.0 uA  
25 V  
IR  
100  
100  
nA  
uA  
VR  
VR = 25 V, TA = 150OC  
VF  
CT  
Forward Voltage  
Capacitance  
1.0  
4.0  
4.0  
V
IF  
=
=
30 mA  
pF  
ns  
VR  
0.0 V,f = 1.0 MHz  
TRR Reverse Recovery Time  
IF = 10 mA VR = 6.0 V  
IRR = 1.0 mA, RL = 100 ohms  
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
Revision A - September 21, 1998  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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