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1N4156-TR

更新时间: 2024-02-16 09:09:48
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美高森美 - MICROSEMI 稳定二极管
页数 文件大小 规格书
2页 86K
描述
Stabistor Diode, Silicon, DO-35, SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35

1N4156-TR 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-35包装说明:O-GALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.7外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:STABISTOR DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-GALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N4156-TR 数据手册

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