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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | O-XALF-W2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 1.42 | Samacsys Description： | Vishay 1N4154TAP Switching Diode, 300mA 25V, 2-Pin DO-35 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1 V | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | JESD-609代码： | e2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值正向电流： | 2 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最大输出电流： | 0.15 A |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 35 V | 最大反向恢复时间： | 0.004 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver (Sn/Ag) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4154TR | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 35V V(RRM), Silicon, DO-35, |
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| 1N4154TR-RECU | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 35V V(RRM), Silicon, DO-35, |
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| 1N4154TR-RMCU | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 35V V(RRM), Silicon, DO-35, |
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| 1N4154VG | ROHM |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.15A, 35V V(RRM), Silicon |
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| 1N4154X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 35V V(RRM), Silicon, |
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| 1N4156 | MICROSEMI |
获取价格 |
STABISTORS Also, Tight Tolerance |
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| 1N4156 | NJSEMI |
获取价格 |
AXIAL LEADS DIODES |
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| 1N4156-TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Stabistor Diode, Silicon, DO-35, SILICON, STABISTOR DIODE, DO-35 |
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| 1N4157 | MICROSEMI |
获取价格 |
STABISTORS Also, Tight Tolerance |
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| 1N4157 | NJSEMI |
获取价格 |
AXIAL LEADS DIODES |
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