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1N4154-1E3

更新时间: 2024-11-10 05:59:15
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 120K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 35V V(RRM), Silicon, DO-204AH, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-35, 2 PIN

1N4154-1E3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
包装说明:ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-35, 2 PINReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.24外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-204AH
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:0.2 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大重复峰值反向电压:35 V最大反向恢复时间:0.002 µs
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL

1N4154-1E3 数据手册

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