5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-PALF-W2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.72 | 其他特性： | GOLD BONDED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | GERMANIUM | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-7 | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 0.1 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 80 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N270X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 100V V(RRM), Germanium |
|
| 1N273 | ETC |
获取价格 |
GOLD BONDED DIODES |
|
| 1N2730A | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 3.9V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41, DO-41, 2 PIN |
|
| 1N2730ABKPBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 3.9V V(Z), 5%, 1W, |
|
| 1N2730ATRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 3.9V V(Z), 5%, 1W, |
|
| 1N2730ATRPBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 3.9V V(Z), 5%, 1W, |
|
| 1N2730ATRTIN/LEAD | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 3.9V V(Z), 5%, 1W, |
|
| 1N276 | MICROSEMI |
获取价格 |
Optimized for Radio Frequency Response |
|
| 1N276 | NJSEMI |
获取价格 |
GERMANIUM DIODES |
|
| 1N276BK | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.04A, 50V V(RRM), Germanium, DO-7 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
