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1N277-BP

更新时间： 2024-11-02 19:58:51

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		二极管
页数	文件大小	规格书
1页	19K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.075A, Germanium, DO-7, DO-7, 2 PIN

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1N277-BP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-7
包装说明：	O-XALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.73
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	GERMANIUM	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-7	JESD-30 代码：	O-XALF-W2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.075 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N277-BP 数据手册

M C C

GERMANIUM DIODES

OPERATING/STORAGE TEMPERATURE RANGE: -65℃ TO 75℃

Average Forward

Current @ Half-

Wave

Resistive Load

60Hz

Maximum

Reverse Current

@ V_RWM

Working

Peak

Reverse

Voltage

Forward Peak

Surge Current

@ 8.3mS

Junction

Maximum Forward

Capacitance

f = 1MHz,

V_R= 1V

Voltage @ 25°C

MCC

Part Number

T_L*

Package

DO-7

Superimposed

@ 25°C T_L*

V_RWM

I_F(AV)@ T_L

I_FSM

I_R

I_FM

V_FM

C_J

°C

µA

250*

500*

1N277

1N34A

110

0.5

100

5.0

1.00

0.8

* Measured at V_R= 50V, T_A= 75℃

www.mccsemi.com

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与1N277-BP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N277LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 110V V(RRM), Germanium, DO-7, HERMETIC SEALED, GLASS PAC
1N277M	NJSEMI	获取价格	Diode 110V 0.075A 2-Pin DO-7
1N277R	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 125V V(RRM), Germanium,
1N277-TP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.075A, Germanium, DO-7, DO-7, 2 PIN
1N277TR	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 100V V(RRM), Germanium, DO-7
1N277TRLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 100V V(RRM), Germanium, DO-7,
1N277X	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 125V V(RRM), Germanium,
1N278	ETC	获取价格	JEDEC DO-7 PACKAGE
1N2784	MICROSEMI	获取价格	SILICON POWER RECTIFIER
1N2784E3	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI