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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-PALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.73 |
| 其他特性： | GOLD BONDED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | GERMANIUM |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-7 |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 0.1 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 100 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN (315) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N277X | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 125V V(RRM), Germanium, |
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| 1N278 | ETC |
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JEDEC DO-7 PACKAGE |
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| 1N2784 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N2784E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI |
|
| 1N2784R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI |
|
| 1N2784RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI |
|
| 1N2785 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N2785R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI |
|
| 1N2785RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI |
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| 1N2786 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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