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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-PALF-W2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.70 |
| 风险等级： | 5.8 | 其他特性： | GOLD BONDED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | GERMANIUM | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-7 | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 0.1 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N277TRLEADFREE | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 100V V(RRM), Germanium, DO-7, |
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| 1N277X | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 125V V(RRM), Germanium, |
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| 1N278 | ETC |
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JEDEC DO-7 PACKAGE |
|
| 1N2784 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |
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| 1N2784E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI |
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| 1N2784R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI |
|
| 1N2784RE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI |
|
| 1N2785 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER |
|
| 1N2785R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI |
|
| 1N2785RE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 400V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI |
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