是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DO-7 |
包装说明: | O-LALF-W2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.70 | 风险等级: | 5.73 |
其他特性: | GOLD BONDED | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | GERMANIUM |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码: | DO-7 |
JESD-30 代码: | O-LALF-W2 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 100 °C | 最低工作温度: | -50 °C |
最大输出电流: | 0.1 A | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 最大功率耗散: | 0.08 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 110 V |
表面贴装: | NO | 端子面层: | MATTE TIN (315) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N277M | NJSEMI |
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Diode 110V 0.075A 2-Pin DO-7 | |
1N277R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 125V V(RRM), Germanium, | |
1N277-TP | MCC |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.075A, Germanium, DO-7, DO-7, 2 PIN | |
1N277TR | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 100V V(RRM), Germanium, DO-7 | |
1N277TRLEADFREE | CENTRAL |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 100V V(RRM), Germanium, DO-7, | |
1N277X | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, 125V V(RRM), Germanium, | |
1N278 | ETC |
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JEDEC DO-7 PACKAGE | |
1N2784 | MICROSEMI |
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SILICON POWER RECTIFIER | |
1N2784E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI | |
1N2784R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 200V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PI |