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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.72 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | GERMANIUM |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 最大功率耗散： | 0.08 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 100 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N273 | ETC |
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GOLD BONDED DIODES |
|
| 1N2730A | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 3.9V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41, DO-41, 2 PIN |
|
| 1N2730ABKPBFREE | CENTRAL |
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Zener Diode, 3.9V V(Z), 5%, 1W, |
|
| 1N2730ATRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 3.9V V(Z), 5%, 1W, |
|
| 1N2730ATRPBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 3.9V V(Z), 5%, 1W, |
|
| 1N2730ATRTIN/LEAD | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 3.9V V(Z), 5%, 1W, |
|
| 1N276 | MICROSEMI |
获取价格 |
Optimized for Radio Frequency Response |
|
| 1N276 | NJSEMI |
获取价格 |
GERMANIUM DIODES |
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| 1N276BK | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.04A, 50V V(RRM), Germanium, DO-7 |
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| 1N276BKLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.04A, 50V V(RRM), Germanium, DO-7 |
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