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1N277

更新时间： 2024-01-24 04:11:01

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美高森美 - MICROSEMI		二极管无线
页数	文件大小	规格书
1页	67K
描述
Optimized for Radio Frequency Response

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1N277 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	GERMANIUM
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
最大功率耗散：	0.08 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	125 V	最大反向电流：	250 µA
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

1N277 数据手册

Gold Bonded

1N277 Germanium Diodes

Optimized for Radio Frequency Response

Can be used in many AM, FM and TV-IF applications, replacing point contact devices.

Applications

AM/FM detectors

DO-7 Glass Package

Ratio detectors

0.018-0.022"

FM discriminators

0.458-.558 mm

TV audio detectors

RF input probes

1.0"

25.4 mm

(Min.)

Length

0.230-0.30"

Dia

TV video detectors

0.085-.107 "

2.16-2.71 mm

5.85-7.62mm

Features

Lower leakage current

Flat junction capacitance

High mechanical strength

At least 1 million hours MTBF

BKC's Sigma-Bond™ plating for

problem free solderability

Absolute Maximum Ratings at T_amb= 25 ^OC

Parameter

Symbols

PIV

Min.

110

Max.

110

Units

Volts

Amps

Peak Inverse Voltage

Breakdown Voltage @ I_R= 1.0 mA

Surge Current , t = 1 Second

Peak Operating Current

V_BR

I_FSM

I_OS

0.5

270

Average Rectified Forward Current

I_O

Operating and Storage Temperatures

T_{J & STG}

-65

+90

^OC

Electrical Characteristics at T_amb= 25 ^OC

Parameter

TestConditions

Symbols

Min.

Typ.

Max.

Units

Forward Voltage Drop

I_F= 100 mA

V_F

1.00

Volts

Reverse Leakage

V_R= 10 Volts,T_amb= 75 ^OC

V_R= 50 Volts,T_amb= 75 ^OC

I_R

µA

I_R

250

µA

Breakdown Voltage @ I_R= 1.0 mA

PIV

110

Volts

Junction Capacitance f = 1MHz, V_R= 0 volt

C_J

0.8

6 Lake Street - Lawrence, MA 01841

Tel: 978-681-0392 - Fax: 978-681-9135

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