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| 生命周期： | Active | 包装说明： | METAL, DO-4, 1 PIN |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.62 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 应用： | POWER |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-203AA | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 400 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 25 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 最大重复峰值反向电压： | 600 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N1206-CHIP | SSDI |
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Diode, |
|
| 1N1206CR | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 P |
|
| 1N1206CRE3 | MICROSEMI |
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暂无描述 |
|
| 1N1206E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO2 |
|
| 1N1206R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO2 |
|
| 1N1206RA | MICROSEMI |
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Military Silicon Power Rectifier |
|
| 1N1206RA | MOTOROLA |
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12A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
|
| 1N1206RAE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO2 |
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| 1N1227 | NJSEMI |
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GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
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| 1N1227A | NJSEMI |
获取价格 |
GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
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