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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N1206E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO2 |
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| 1N1206R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO2 |
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| 1N1206RA | MICROSEMI |
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Military Silicon Power Rectifier |
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| 1N1206RA | MOTOROLA |
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12A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
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| 1N1206RAE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO2 |
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| 1N1227 | NJSEMI |
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GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
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| 1N1227A | NJSEMI |
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GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
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| 1N1227B | NJSEMI |
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GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
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| 1N1228 | NJSEMI |
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GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
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| 1N1228A | NJSEMI |
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GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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