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1N1206RAE3

更新时间: 2023-03-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 136K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO203AA(DO4), 1 PIN

1N1206RAE3 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-MUPM-D1
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.62
应用:POWER外壳连接:ANODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-203AA
JESD-30 代码:O-MUPM-D1最大非重复峰值正向电流:250 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:12 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT最大重复峰值反向电压:600 V
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

1N1206RAE3 数据手册

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