5秒后页面跳转
1N1206RA PDF预览

1N1206RA

更新时间: 2024-01-01 07:02:39
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 整流二极管军事
页数 文件大小 规格书
2页 109K
描述
Military Silicon Power Rectifier

1N1206RA 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
零件包装代码:DO-4包装说明:O-MUPM-D1
针数:1Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.24
Is Samacsys:N应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:ANODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.35 VJEDEC-95代码:DO-203AA
JESD-30 代码:O-MUPM-D1最大非重复峰值正向电流:240 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:200 °C
最大输出电流:12 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:600 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

1N1206RA 数据手册

 浏览型号1N1206RA的Datasheet PDF文件第2页 

与1N1206RA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N1206RAE3 MICROSEMI

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO2
1N1227 NJSEMI

获取价格

GOLD BONDED GERMANIUM DIODES
1N1227A NJSEMI

获取价格

GOLD BONDED GERMANIUM DIODES
1N1227B NJSEMI

获取价格

GOLD BONDED GERMANIUM DIODES
1N1228 NJSEMI

获取价格

GOLD BONDED GERMANIUM DIODES
1N1228A NJSEMI

获取价格

GOLD BONDED GERMANIUM DIODES
1N1228B NJSEMI

获取价格

GOLD BONDED GERMANIUM DIODES
1N1229 NJSEMI

获取价格

STUD BASE RECTIFIER DO4
1N1229A NJSEMI

获取价格

GOLD BONDED GERMANIUM DIODES
1N1229B NJSEMI

获取价格

GOLD BONDED GERMANIUM DIODES