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1N1206RA

更新时间: 2024-11-08 22:35:07
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管军事
页数 文件大小 规格书
2页 109K
描述
Military Silicon Power Rectifier

1N1206RA 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-4
包装说明:O-MUPM-D1针数:1
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.3Is Samacsys:N
应用:POWER外壳连接:ANODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-203AA
JESD-30 代码:O-MUPM-D1JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:250 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:12 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:600 V表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N1206RA 数据手册

 浏览型号1N1206RA的Datasheet PDF文件第2页 

与1N1206RA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N1206RAE3 MICROSEMI

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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO2
1N1227 NJSEMI

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GOLD BONDED GERMANIUM DIODES
1N1227A NJSEMI

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GOLD BONDED GERMANIUM DIODES
1N1227B NJSEMI

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GOLD BONDED GERMANIUM DIODES
1N1228 NJSEMI

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1N1228A NJSEMI

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1N1228B NJSEMI

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STUD BASE RECTIFIER DO4
1N1229A NJSEMI

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1N1229B NJSEMI

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