是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DO-4 |
包装说明: | O-MUPM-D1 | 针数: | 1 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.3 | Is Samacsys: | N |
应用: | POWER | 外壳连接: | ANODE |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码: | DO-203AA |
JESD-30 代码: | O-MUPM-D1 | JESD-609代码: | e0 |
最大非重复峰值正向电流: | 250 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 1 |
最高工作温度: | 200 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 12 A | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 600 V | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | SOLDER LUG |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N1206RAE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO2 | |
1N1227 | NJSEMI |
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GOLD BONDED GERMANIUM DIODES | |
1N1227A | NJSEMI |
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GOLD BONDED GERMANIUM DIODES | |
1N1227B | NJSEMI |
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GOLD BONDED GERMANIUM DIODES | |
1N1228 | NJSEMI |
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GOLD BONDED GERMANIUM DIODES | |
1N1228A | NJSEMI |
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GOLD BONDED GERMANIUM DIODES | |
1N1228B | NJSEMI |
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GOLD BONDED GERMANIUM DIODES | |
1N1229 | NJSEMI |
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STUD BASE RECTIFIER DO4 | |
1N1229A | NJSEMI |
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GOLD BONDED GERMANIUM DIODES | |
1N1229B | NJSEMI |
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GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |