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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-4 |
| 包装说明： | METAL, DO-4, 1 PIN | 针数： | 1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.45 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 应用： | POWER | 外壳连接： | ANODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.1 V |
| JEDEC-95代码： | DO-203AA | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 400 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 25 A |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 600 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N1206CRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 1N1206E3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO2 |
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| 1N1206R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO2 |
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| 1N1206RA | MICROSEMI |
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Military Silicon Power Rectifier |
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| 1N1206RA | MOTOROLA |
获取价格 |
12A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA |
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| 1N1206RAE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, GLASS METAL, DO2 |
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| 1N1227 | NJSEMI |
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GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
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| 1N1227A | NJSEMI |
获取价格 |
GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
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| 1N1227B | NJSEMI |
获取价格 |
GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
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| 1N1228 | NJSEMI |
获取价格 |
GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
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