Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> ZVP2106CSTOB

ZVP2106CSTOB

更新时间： 2024-11-16 13:16:15

品牌	Logo	应用领域
捷特科 - ZETEX		/
页数	文件大小	规格书
3页	53K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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ZVP2106CSTOB 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.02
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.28 A	最大漏源导通电阻：	5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZVP2106CSTOB 数据手册

P-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ZVP2106A

ISSUE 2 – MARCH 94

FEATURES

60 Volt V_DS

R_DS(on)=5Ω

E-Line

TO92 Com patible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Dra in -S o u rce Vo ltag e

-60

-280

Co n tin u o u s Dra in Cu rren t at T_{a m b}=25°C

Pu ls e d Dra in Cu rre n t

I_D

m A

I_DM

-4

Ga te S o u rce Vo lta g e

V_GS

± 20

Po w e r Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re Ra n g e

P_{to t}

700

m W

°C

T_j:T_{s tg}

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS .

Dra in -S o u rce Bre akd o w n

Vo lta g e

BV_{DS S}

-60

I_D=-1m A, V_GS=0V

Ga te-S o u rce Th res h o ld

Vo lta g e

V_{GS (th )}

-1.5

-3.5

ID=-1m A, V_DS= V_GS

Ga te-Bo d y Lea ka g e

I_{GS S}

I_{DS S}

n A

V_GS=± 20V, V_DS=0V

Ze ro Ga te Vo lta g e Dra in

Cu rre n t

-0.5

-100

V_DS=-60 V, V_GS=0

V_DS=-48 V, V_GS=0V, T=125°C(2)

µA

On -S ta te Dra in Cu rre n t(1)

I_{D(o n )}

-1

V_DS=-18 V, V_GS=-10V

V_GS=-10V,I_D=-500m A

S ta tic Drain -S o u rce On -S ta te R_{DS (o n )}

Res is ta n ce (1)

Ω

Fo rw a rd Tra n s co n d u ctan ce

(1)(2)

g _fs

150

m S

V_DS=-18V,I_D=-500m A

In p u t Ca p a citan ce (2)

C_{is s}

100

p F

Co m m o n S o u rce Ou tp u t

Cap acita n ce (2)

C_{o s s}

V_DS=-18V, V_GS=0V, f=1MHz

Reve rs e Tra n s fe r

Cap acita n ce (2)

C_{rs s}

p F

Tu rn -On De lay Tim e (2)(3)

Ris e Tim e (2)(3)

t_{d (o n )}

t_r

t_{d (o ff)}

t_f

n s

V_DD≈-18V, I_D=-500m A

Tu rn -Off De la y Tim e (2)(3)

Fa ll Tim e (2)(3)

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2%

(2) Sam ple test.

(

)

3-417

Switching tim es m easured with 50Ω source im pedance and <5ns rise tim e on a pulse generator

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZVP2106CSTZ	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
ZVP2106CSTZ	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
ZVP2106D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| CHIP
ZVP2106DWP	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi
ZVP2106E	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 280MA I(D) \| SOT-223
ZVP2106G	DIODES	获取价格	SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVP2106G	ZETEX	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVP2106GTA	ETC	获取价格	TRANSISTOR MOSFET SMD SOT 223
ZVP2106GTC	DIODES	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 60V, 5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
ZVP2106L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 380MA I(D) \| TO-220

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