ZVP2106G

更新时间： 2024-09-24 07:42:43

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美台 - DIODES		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管 PC
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SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

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ZVP2106G 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-223
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	0.75
Samacsys Confidence：	3	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	376170	Samacsys Pin Count：	4
Samacsys Part Category：	MOSFET (P-Channel)	Samacsys Package Category：	SOT223 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：	SOT-223-ren3	Samacsys Released Date：	2018-09-26 09:49:56
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.45 A	最大漏极电流 (ID)：	0.45 A
最大漏源导通电阻：	5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	4 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

ZVP2106G 数据手册

SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

ISSUE 3 MARCH 96

ZVP2106G

FEATURES

60 Volt V_DS

R_DS(on)=5Ω

PARTMARKING DETAIL: -

ZVP2106

COMPLEMENTARY TYPE: - ZVN2106G

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_DS

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

-60

Continuous Drain Current at T_amb=25°C

Pulsed Drain Current

I_D

-450

I_DM

-4

± 20

Gate Source Voltage

V_GS

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

T_j:T_stg

-55 to +150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.

Drain-Source Breakdown

Voltage

BV_DSS

-60

I_D=-1mA, V_GS=0V

I_D=-1mA, V_DS= V_GS

V_GS=± 20V, V_DS=0V

Gate-Source Threshold

Voltage

V_GS(th)

-1.5

-3.5

Gate-Body Leakage

I_GSS

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain

Current

-0.5

-100

V_DS=-60 V, V_GS=0

V_DS=-48 V, V_GS=0V, T=125°C(2)

µA

On-State Drain Current(1)

I_D(on)

-1

V_DS=-18 V, V_GS=-10V

Static Drain-Source On-State R_DS(on)

Resistance (1)

V_GS=-10V,I_D=-500mA

Ω

Forward Transconductance

(1)(2)

g_fs

150

V_DS=-18V,I_D=-500mA

Input Capacitance (2)

C_iss

100

Common Source Output

Capacitance (2)

C_oss

V_DS=-18V, V_GS=0V, f=1MHz

Reverse Transfer

Capacitance (2)

C_rss

Turn-On Delay Time (2)(3)

Rise Time (2)(3)

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

V_DD≈-18V, I_D=-500mA

Turn-Off Delay Time (2)(3)

Fall Time (2)(3)

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2%

(2) Sample test.

(3) Switching times measured with 50Ω source impedance and <5ns rise time on a pulse generator

3 - 426

12 3

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ZVP2106G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
ZVP2106GTC	DIODES	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 60V, 5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal

与ZVP2106G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
ZVP2106GTA	ETC	获取价格	TRANSISTOR MOSFET SMD SOT 223
ZVP2106GTC	DIODES	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 60V, 5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
ZVP2106L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 380MA I(D) \| TO-220
ZVP2106Z	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 390MA I(D) \| SOT-89
ZVP2110	ZETEX	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVP2110	HOTTECH	获取价格	SOT-223
ZVP2110A	DIODES	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVP2110A	ZETEX	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVP2110AM1	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
ZVP2110ASM	ZETEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

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