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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.02 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.28 A | 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ZVP2106D | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | CHIP |
|
| ZVP2106DWP | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
|
| ZVP2106E | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 280MA I(D) | SOT-223 |
|
| ZVP2106G | DIODES |
获取价格 |
SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
|
| ZVP2106G | ZETEX |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
|
| ZVP2106GTA | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR MOSFET SMD SOT 223 |
|
| ZVP2106GTC | DIODES |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 60V, 5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| ZVP2106L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 380MA I(D) | TO-220 |
|
| ZVP2106Z | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 390MA I(D) | SOT-89 |
|
| ZVP2110 | ZETEX |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
|
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