5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > ZVP2106GTA
ZVP2106GTA PDF预览

ZVP2106GTA

更新时间： 2024-02-20 01:32:01
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 75K
描述
TRANSISTOR MOSFET SMD SOT 223

阅读下载

中文翻译

获取价格

ZVP2106GTA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.84配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.39 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

ZVP2106GTA 数据手册

 浏览型号ZVP2106GTA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ZVP2106GTA的Datasheet PDF文件第3页 
SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE VERTICAL DMOS FET  
ISSUE 3 – MARCH 96  
ZVP2106G  
FEATURES  
D
*
*
60 Volt VDS  
RDS(on)=5Ω  
S
PARTMARKING DETAIL: -  
ZVP2106  
COMPLEMENTARY TYPE: - ZVN2106G  
D
G
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VDS  
VALUE  
UNIT  
V
Drain-Source Voltage  
-60  
Continuous Drain Current at Tamb=25°C  
Pulsed Drain Current  
ID  
-450  
mA  
A
IDM  
-4  
± 20  
Gate Source Voltage  
VGS  
V
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Ptot  
2
W
Tj:Tstg  
-55 to +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.  
Drain-Source Breakdown  
Voltage  
BVDSS  
-60  
V
ID=-1mA, VGS=0V  
ID=-1mA, VDS= VGS  
VGS=± 20V, VDS=0V  
Gate-Source Threshold  
Voltage  
VGS(th)  
-1.5  
-3.5  
20  
V
Gate-Body Leakage  
IGSS  
IDSS  
nA  
Zero Gate Voltage Drain  
Current  
-0.5  
-100  
VDS=-60 V, VGS=0  
VDS=-48 V, VGS=0V, T=125°C(2)  
µA  
µA  
On-State Drain Current(1)  
ID(on)  
-1  
A
VDS=-18 V, VGS=-10V  
Static Drain-Source On-State RDS(on)  
Resistance (1)  
5
VGS=-10V,ID=-500mA  
Ω
Forward Transconductance  
(1)(2)  
gfs  
150  
mS  
VDS=-18V,ID=-500mA  
Input Capacitance (2)  
Ciss  
100  
60  
pF  
pF  
Common Source Output  
Capacitance (2)  
Coss  
VDS=-18V, VGS=0V, f=1MHz  
Reverse Transfer  
Capacitance (2)  
Crss  
20  
pF  
Turn-On Delay Time (2)(3)  
Rise Time (2)(3)  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
7
ns  
ns  
ns  
ns  
15  
12  
15  
VDD≈-18V, ID=-500mA  
Turn-Off Delay Time (2)(3)  
Fall Time (2)(3)  
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2%  
(2) Sample test.  
(3) Switching times measured with 50Ω source impedance and <5ns rise time on a pulse generator  
3 - 426  
123

中文翻译

下载PDF

与ZVP2106GTA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ZVP2106GTC DIODES

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 60V, 5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
ZVP2106L ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 380MA I(D) | TO-220
ZVP2106Z ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 390MA I(D) | SOT-89
ZVP2110 ZETEX

获取价格

 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVP2110A DIODES

获取价格

 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVP2110A ZETEX

获取价格

 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
ZVP2110AM1 ZETEX

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
ZVP2110ASM ZETEX

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
ZVP2110ASMTA ZETEX

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
ZVP2110ASMTC ZETEX

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.23A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

与ZVP2106GTA相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证