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ZSS1510

更新时间： 2024-09-14 15:58:59

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捷特科 - ZETEX		光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	81K
描述
Mixer Diode, Silicon, SOT-23, 3 PIN

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ZSS1510 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.60
风险等级：	5.35	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	MIXER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.33 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

ZSS1510 数据手册

SOT23 RF SCHOTTKY BARRIER DIODE

ZSS1510

ISSUE 2 – NOVEMBER 1998

DIODE PIN CONNECTION

PARTMARKING DETAIL - 510

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

P_tot

VALUE

330

UNIT

°C

Power Dissipation at T_amb= 25°C

Operating and Storage Temperature Range

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C).

amb

PARAMETER

SYMBOL

MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.

Breakdown Voltage

Reverse Leakage Current

V_BR

I_R

I_R=10µA

500

100

V_R=2.5V

V_R=1.0V

Forward Voltage

Capacitance

V_F

C_T

R_D

250

350

Ω

I_F=1mA

0.9

V_R=0 V, f=1MHz

I_F=10mA

Dynamic Resistance (1)

(1) Sample Test.

RF CHARACTERISTICS (at T

= 25°C).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP. UNIT

CONDITIONS.

Voltage Sensitivity

1.3

f=2.4GHz; Power input= -20dBm

R_L= 100kΩ ; I_bias= 0

mV/µW

Tangential Sensitivity

Video Resistance

T_SS

R_v

-40

-60

dBm

f=2.4GHz; Video Bandwidth =10kHz

f=1.0GHz; R_L= 1MΩ

500

f=2.4GHz; Power input=-20dBm

I_bias= 0

kΩ

12 3

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