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YJGD20G10BQ

更新时间： 2024-03-03 10:11:02

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扬杰 - YANGJIE		光电二极管
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YJGD20G10BQ 数据手册

YJGD20G10BQ

Tj=150℃

Tj=25℃

VGS=4.5V

VGS=10V

Tj=25℃

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

0.000

5.000

10.000

15.000

20.000

Vsd- Source to Drain Voltage (V)

ID-Drain Current (A)

Figure 7. RDS(on) VS Drain Current

Figure 8. Forward characteristics of reverse diode

1.4

1.1

1.05

ID=250uA

1.2

0.8

0.6

0.4

0.2

0.95

0.9

-75

-25

125

175

-75

-25

125

175

Tj-Junction Temperature (℃)

Figure 9. Normalized breakdown voltage

Figure 10. Normalized Threshold voltage

100

150

100

150

Tc-Case Temperature (℃)

Figure 11. Current dissipation

Figure 12. Power dissipation

4 / 7

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

S-D283

Rev.1.0,15-Apr-23

www.21yangjie.com

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