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YJGD20G10BQ

更新时间： 2024-03-03 10:11:02

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扬杰 - YANGJIE		光电二极管
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YJGD20G10BQ 数据手册

YJGD20G10BQ

■ NMOS(Die1/Die2) Typical Performance Characteristics

100

Tj=25℃

VDS=5V

VGS= 10V

VGS=4V

4.5V

VGS=3.5V

VGS=3V

Tj=150℃

Tj=25℃

VGS=2.5V

0.0

2.0

4.0

6.0

VGS-Gate to Source Voltage (V)

VDS-Drain to Source Voltage (V)

Figure1. Output Characteristics

Figure2. Transfer Characteristics

10000

1000

100

VDS=50V

ID=20A

Tj=25℃

Ciss

Coss

Crss

100

VDS-Drain to Source Voltage (V)

Qg-Total Gate Charge (nC)

Figure3. Capacitance Characteristics

Figure4. Gate Charge

2.5

ID=20A

VGS=10V

Tj=25℃

1.5

0.5

-75

-25

125

175

2.00

3.00

4.00

5.00

6.00

7.00

8.00

9.00

10.00

Tj-Junction Temperature (℃)

VGS-Gate to Source Voltage (V)

Figure5. On-Resistance vs. Gate to Source Voltage

Figure6. Normalized On-Resistance

3 / 7

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

S-D283

Rev.1.0,15-Apr-23

www.21yangjie.com

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