5秒后页面跳转
XP08081(XP8081) PDF预览

XP08081(XP8081)

更新时间: 2024-12-01 23:33:55
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC /
页数 文件大小 规格书
5页 223K
描述
複合デバイス - 複合トランジスタ

XP08081(XP8081) 数据手册

 浏览型号XP08081(XP8081)的Datasheet PDF文件第2页浏览型号XP08081(XP8081)的Datasheet PDF文件第3页浏览型号XP08081(XP8081)的Datasheet PDF文件第4页浏览型号XP08081(XP8081)的Datasheet PDF文件第5页 
複合トランジスタ  
XP08081 (XP8081)  
シリコNチャネル接合FET (Tr1)  
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形(Tr2)  
Unit : mm  
+0.05  
アナログスイッチング用(Tr1)/スイッチング用(Tr2)  
0.12  
–0.02  
0.2 0.05  
5
6
4
特ꢀ長  
1パッケージ2素子内蔵(Tr + 抵抗内蔵トランジスタ)  
実装積とアセンブリコストの半減が可能  
1
2
3
基  
種  
(0.65) (0.65)  
1.3 0.1  
2.0 0.1  
2SK1103 + UNR2213 (UN2213)  
10˚  
絶対最大定格 Ta = 25°C  
項目  
記号  
定格  
50  
20  
単位  
V
Tr1  
ゲーレイン間降伏電圧 VGDS  
ドレイン電流  
ゲート電流  
ID  
IG  
mA  
mA  
V
1 : Drain (Tr1)  
2 : Source (Tr1)  
3 : Collector (Tr2)  
EIAJ : SC-88  
4 : Emitter (Tr2)  
5 : Base (Tr2)  
6 : Gate (Tr1)  
10  
Tr2  
コレクース間電圧  
VCBO  
50  
SMini6-G1 Package  
(E 開放時)  
コレクミッタ間  
VCEO  
50  
V
形名表示記号 : 9Z  
電圧(B 開放時)  
内部接続図  
コレクタ電流  
全許容損失  
合温度  
IC  
PT  
Tj  
100  
150  
mA  
6
5
2
4
総合  
mW  
150  
°C  
Tr1  
保存温度  
Tstg  
55 ∼ +150  
°C  
Tr2  
3
1
) 形名の( )内は来品  
番です  
発行年月 : 20042月  
SJJ00218BJD  
1

与XP08081(XP8081)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
XP08081|XP8081 ETC

获取价格

Composite Device - Composite Transistors
XP0A554 ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 100MA I(C) | SOT-363
XP0B301 PANASONIC

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
XP0C301 PANASONIC

获取价格

For General Amplification
XP0C301(XP1C301) ETC

获取价格

複合デバイス - 複合トランジスタ
XP0C301|XP1C301 PANASONIC

获取价格

Composite Device - Composite Transistors
XP0D873(XP1D873) ETC

获取价格

複合デバイス - 複合トランジスタ
XP0D873|XP1D873 ETC

获取价格

Composite Device - Diodes - Composite Diodes
XP0D874(XP1D874) ETC

获取价格

Composite Device - Composite Transistors
XP0D874|XP1D874 ETC

获取价格

Composite Device - Composite Transistors