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X28HC256S-90 PDF预览

X28HC256S-90

更新时间： 2024-11-20 20:56:47
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 491K
描述
32KX8 EEPROM 5V, 90ns, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28

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X28HC256S-90 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP, SOP28,.4针数：28
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.55
Is Samacsys：N最长访问时间：90 ns
其他特性：100000 ENDURANCE WRITE CYCLES; 100 YEARS DATA RETENTION命令用户界面：NO
数据轮询：YES数据保留时间-最小值：100
耐久性：1000000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G28
JESD-609代码：e0长度：17.9 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8湿度敏感等级：5
功能数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：32KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP28,.4封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE页面大小：128 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.65 mm
最大待机电流：0.0005 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.06 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES宽度：7.5 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 msBase Number Matches：1

X28HC256S-90 数据手册

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X28HC256  
256k, 32k x 8-Bit  
Data Sheet  
September 21, 2011  
FN8108.3  
5V, Byte Alterable EEPROM  
Features  
The X28HC256 is a second generation high performance  
CMOS 32k x 8 EEPROM. It is fabricated with Intersil’s  
proprietary, textured poly floating gate technology, providing  
a highly reliable 5V only nonvolatile memory.  
• Access time: 70ns  
• Simple byte and page write  
- Single 5V supply  
- No external high voltages or VP-P control circuits  
- Self-timed  
The X28HC256 supports a 128-byte page write operation,  
effectively providing a 24µs/byte write cycle, and enabling  
the entire memory to be typically rewritten in less than 0.8  
seconds. The X28HC256 also features DATA Polling and  
Toggle Bit Polling, two methods of providing early end of  
write detection. The X28HC256 also supports the JEDEC  
standard Software Data Protection feature for protecting  
against inadvertent writes during power-up and power-down.  
- No erase before write  
- No complex programming algorithms  
- No overerase problem  
• Low power CMOS  
- Active: 60mA  
- Standby: 500µA  
Endurance for the X28HC256 is specified as a minimum  
1,000,000 write cycles per byte and an inherent data  
retention of 100 years.  
• Software data protection  
- Protects data against system level inadvertent writes  
• High speed page write capability  
• Highly reliable Direct Write™ cell  
- Endurance: 1,000,000 cycles  
- Data retention: 100 years  
• Early end of write detection  
- DATA polling  
- Toggle bit polling  
• Pb-free available (RoHS compliant)  
Block Diagram  
256kBIT  
EEPROM  
ARRAY  
X BUFFERS  
LATCHES AND  
DECODER  
A
TO A  
14  
0
ADDRESS  
INPUTS  
I/O BUFFERS  
Y BUFFERS  
LATCHES AND  
DECODER  
AND LATCHES  
I/O TO I/O  
0
7
DATA INPUTS/OUTPUTS  
CE  
CONTROL  
LOGIC AND  
TIMING  
OE  
WE  
V
CC  
SS  
V
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper IC Handling Procedures.  
1-888-INTERSIL or 1-888-468-3774 |Copyright Intersil Americas Inc. 2005-2007, 2010, 2011. All Rights Reserved  
Intersil (and design) is a trademark owned by Intersil Corporation or one of its subsidiaries.  
All other trademarks mentioned are the property of their respective owners.  
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与X28HC256S-90相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
X28HC256S-90T1 XICOR

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 		EEPROM, 32KX8, 90ns, Parallel, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28
X28HC256S-90T1 RENESAS

获取价格

 		32KX8 EEPROM 5V, 90ns, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28
X28HC256SI-12 INTERSIL

获取价格

 		5 Volt, Byte Alterable EEPROM
X28HC256SI-12 ROCHESTER

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 		LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM
X28HC256SI-12 XICOR

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 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28HC256SI-12 RENESAS

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 		32KX8 EEPROM 5V, 120ns, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-28
X28HC256SI-12T1 RENESAS

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 		32KX8 EEPROM 5V, 150ns, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28

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