是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFJ |
包装说明: | QCCN, | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.21 |
最长访问时间: | 250 ns | JESD-30 代码: | R-CQCC-N32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 17.78 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128KX8 | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | QCCN | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.048 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 11.43 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
X28C010NI-12 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C010NI-12T1 | RENESAS |
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EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, EXTENDED, LCC-32 | |
X28C010NI-15 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C010NI-15T1 | RENESAS |
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EEPROM, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, EXTENDED, LCC-32 | |
X28C010NI-20 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C010NI-20 | RENESAS |
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128KX8 EEPROM 5V, 200ns, CQCC32, CERAMIC, EXTENDED, LCC-32 | |
X28C010NI-25 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C010NI-25 | RENESAS |
获取价格 |
128KX8 EEPROM 5V, 250ns, CQCC32, CERAMIC, EXTENDED, LCC-32 | |
X28C010NI-25T1 | RENESAS |
获取价格 |
EEPROM, 128KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, EXTENDED, LCC-32 | |
X28C010NM-12 | INTERSIL |
获取价格 |
5 Volt, Byte Alterable EEPROM |