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Datasheet > 存储 > EEPROM> X28C010NMB-12
X28C010NMB-12 PDF预览

X28C010NMB-12

更新时间： 2024-11-01 12:17:15
品牌 Logo 应用领域
XICOR 存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
25页 128K
描述
5 Volt, Byte Alterable E2PROM

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X28C010NMB-12 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：CERAMIC, EXTENDED, LCC-32Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.69Is Samacsys：N
最长访问时间：120 ns命令用户界面：NO
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-CQCC-N32
JESD-609代码：e0长度：17.78 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：128KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：QCCN
封装等效代码：LCC32,.45X.7封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER页面大小：256 words
并行/串行：PARALLEL电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：38535Q/M;38534H;883B座面最大高度：3.048 mm
最大待机电流：0.0005 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.05 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD切换位：YES
宽度：11.43 mm最长写入周期时间 (tWC)：10 ms
Base Number Matches：1

X28C010NMB-12 数据手册

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1M  
X28C010  
5 Volt, Byte Alterable E2PROM  
DESCRIPTION  
128K x 8 Bit  
FEATURES  
2
The Xicor X28C010 is a 128K x 8 E PROM, fabricated  
with Xicor's proprietary, high performance, floating gate  
CMOS technology. Like all Xicor programmable non-  
volatile memories the X28C010 is a 5V only device. The  
X28C010 features the JEDEC approved pinout for byte-  
wide memories, compatible with industry standard  
EPROMs.  
• Access Time: 120ns  
• Simple Byte and Page Write  
—Single 5V Supply  
—No External High Voltages or V Control Circuits  
—Self-Timed  
PP  
—No Erase Before Write  
—No Complex Programming Algorithms  
—No Overerase Problem  
• Low Power CMOS:  
TheX28C010supportsa256-bytepagewriteoperation,  
effectively providing a 19µs/byte write cycle and en-  
abling the entire memory to be typically written in less  
than 2.5 seconds. The X28C010 also features DATA  
Polling and Toggle Bit Polling, system software support  
schemes used to indicate the early completion of a write  
cycle. In addition, the X28C010 supports Software Data  
Protection option.  
—Active: 50mA  
—Standby: 500µA  
• Software Data Protection  
—Protects Data Against System Level  
Inadvertant Writes  
• High Speed Page Write Capability  
• Highly Reliable Direct Write™ Cell  
—Endurance: 100,000 Write Cycles  
—Data Retention: 100 Years  
• Early End of Write Detection  
—DATA Polling  
2
Xicor E PROMs are designed and tested for applica-  
tions requiring extended endurance. Data retention is  
specified to be greater than 100 years.  
—Toggle Bit Polling  
EXTENDED LCC  
PLCC  
PIN CONFIGURATIONS  
LCC  
30  
CERDIP  
FLAT PACK  
SOIC (R)  
4
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30  
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A
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A
A
A
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14  
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PGA  
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I/O  
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X28C010  
(TOP VIEW)  
X28C010  
(TOP VIEW)  
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I/O  
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X28C010  
(BOTTOM VIEW)  
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8
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11  
3858 FHD F03.1  
X28C010  
NC  
NC  
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I/O  
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3858 FHD F20  
I/O  
I/O  
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NC  
NC  
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NC  
NC  
A
A
A
X28C010  
V
NC  
NC  
SS  
I/O  
3
SS  
3858 FHD F02.1  
I/O  
I/O  
I/O  
16  
15  
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2
1
0
A
A
A
A
A
A
A
A
7
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5
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1
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3
3858 ILL F21  
Characteristics subject to change without notice  
© Xicor, Inc. 1991, 1995, 1996 Patents Pending  
3858-3.1 4/3/97 T1/C0/D0 SH  
1
1234567...25

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与X28C010NMB-12相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
X28C010NMB-12T1 RENESAS

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 		EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, EXTENDED, LCC-32
X28C010NMB-15 XICOR

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 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C010NMB-15 RENESAS

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 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C010NMB-20T1 RENESAS

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