是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | CERAMIC, EXTENDED, LCC-32 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.69 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 250 ns | 命令用户界面: | NO |
数据轮询: | YES | JESD-30 代码: | R-CQCC-N32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 17.78 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | QCCN |
封装等效代码: | LCC32,.45X.7 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 页面大小: | 256 words |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.048 mm | 最大待机电流: | 0.0005 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
切换位: | YES | 宽度: | 11.43 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
X28C010NI-25T1 | RENESAS |
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EEPROM, 128KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, EXTENDED, LCC-32 | |
X28C010NM-12 | INTERSIL |
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5 Volt, Byte Alterable EEPROM | |
X28C010NM-12 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C010NM-12 | ROCHESTER |
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128KX8 EEPROM 5V, 120ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | |
X28C010NM-12 | RENESAS |
获取价格 |
128KX8 EEPROM 5V, 120ns, CQCC32, CERAMIC, EXTENDED, LCC-32 | |
X28C010NM-12T1 | RENESAS |
获取价格 |
128KX8 EEPROM 5V, 120ns, CQCC32, CERAMIC, EXTENDED, LCC-32 | |
X28C010NM-15 | INTERSIL |
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5 Volt, Byte Alterable EEPROM | |
X28C010NM-15 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM | |
X28C010NM-15T1 | RENESAS |
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EEPROM, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, EXTENDED, LCC-32 | |
X28C010NM-20 | XICOR |
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5 Volt, Byte Alterable E2PROM |