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X28C010NI-25

更新时间： 2024-11-01 20:08:07
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
24页 128K
描述
128KX8 EEPROM 5V, 250ns, CQCC32, CERAMIC, EXTENDED, LCC-32

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X28C010NI-25 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFJ包装说明：CERAMIC, EXTENDED, LCC-32
针数：32Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.69最长访问时间：250 ns
命令用户界面：NO数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-CQCC-N32JESD-609代码：e0
长度：17.78 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX8
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：QCCN
封装等效代码：LCC32,.45X.7封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER页面大小：256 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.048 mm
最大待机电流：0.0005 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.05 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：NO LEAD端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES宽度：11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)：10 msBase Number Matches：1

X28C010NI-25 数据手册

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1M  
128K x 8 Bit  
X28C010  
5 Volt, Byte Alterable E2PROM  
FEATURES  
DESCRIPTION  
2
• Access Time: 120ns  
• Simple Byte and Page Write  
—Single 5V Supply  
—No External High Voltages or VPP Control Cir-  
cuits  
—Self-Timed  
• No Erase Before Write  
• No Complex Programming Algorithms  
• No Overerase Problem  
• Low Power CMOS:  
—Active: 50mA  
—Standby: 500µA  
• Software Data Protection  
—Protects Data Against System Level  
Inadvertant Writes  
• High Speed Page Write Capability  
• Highly Reliable Direct Write™ Cell  
—Endurance: 100,000 Write Cycles  
—Data Retention: 100Years  
• Early End of Write Detection  
—DATA Polling  
The Xicor X28C010 is a 128K x 8 E PROM, fabricated  
with Xicor's proprietary, high performance, floating gate  
CMOS technology. Like all Xicor programmable non-  
volatile memories the X28C010 is a 5V only device. The  
X28C010 features the JEDEC approved pinout for byte-  
wide memories, compatible with industry standard  
EPROMs.  
The X28C010 supports a 256-byte page write operation,  
effectively providing a 19µs/byte write cycle and enabling  
the entire memory to be typically written in less than 2.5  
seconds. The X28C010 also features DATA Polling and  
Toggle Bit Polling, system software support schemes  
used to indicate the early completion of a write cycle. In  
addition, the X28C010 supports Software Data Protection  
option.  
2
Xicor E PROMs are designed and tested for applications  
requiring extended endurance. Data retention is specified  
to be greater than 100 years.  
—Toggle Bit Polling  
PIN CONFIGURATIONS  
EXTENDED LCC  
PLCC  
CERDIP  
FLAT PACK  
SOIC (R)  
LCC  
PGA  
4
3
2
32 31 30  
30  
29  
I/O  
15  
I/O  
17  
I/O  
19  
I/O  
21  
I/O  
22  
1
0
2
3
5
6
4
3
2
32 31  
A
NC  
1
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V
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5
6
7
5
29  
A
14  
7
A
7
CC  
14  
1
A
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6
7
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
A
A
8
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
A
A
6
6
13  
13  
A
2
3
31  
30  
WE  
CE  
24  
A
13  
A
I/O  
V
I/O  
I/O  
A
A
16  
1
0
1
SS  
4
7
5
5
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14  
16  
18  
20  
23  
A
A
A
A
A
8
9
8
9
NC  
4
9
4
9
15  
X28C010  
(TOP VIEW)  
X28C010  
(TOP VIEW)  
A
A
A
A
11  
A
A
A
10  
OE  
26  
3
11  
3
2
3
A
4
5
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28  
A
A
10  
11  
OE  
A
A
10  
11  
OE  
12  
14  
12  
11  
25  
2
2
A
A
A
A
1
10  
1
10  
A
7
13  
A
A
A
A
4
5
X28C010  
(BOTTOM VIEW)  
11  
9
A
12  
13  
CE  
I/O  
A
12  
13  
CE  
0
0
10  
9
7
27  
28  
A
6
6
27  
A
8
I/O  
I/O  
0
I/O  
0
15 1617 18 1920  
7
7
21  
14  
A
A
A
A
13  
A
7
8
26  
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A
6
7
8
14 15 1617 18 1920  
5
9
8
6
29  
30  
A
4
A
11  
X28C010  
A
A
NC  
NC  
V
NC  
34  
NC  
32  
A
14  
31  
12  
15  
CC  
A
9
24  
23  
OE  
3
5
4
2
3
36  
TSOP  
A
2
10  
A
10  
A
NC  
NC  
33  
WE  
35  
16  
1
2
3
4
5
6
7
8
40  
39  
A11  
A9  
A8  
A
11  
12  
13  
14  
15  
16  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
CE  
1
OE  
A10  
CE  
1
38  
37  
36  
A
0
I/O  
7
I/O  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
I/O3  
NC  
NC  
VSS  
NC  
A13  
A14  
NC  
I/O  
0
6
35  
34  
NC  
NC  
WE  
I/O  
I/O  
5
I/O  
1
33  
32  
31  
9
I/O  
2
4
X28C010  
10  
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15  
16  
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18  
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VCC  
NC  
NC  
30  
29  
28  
V
I/O  
3
SS  
NC  
A16  
A15  
NC  
I/O2  
I/O1  
I/O0  
A0  
A1  
A2  
27  
26  
25  
A12  
A7  
A6  
24  
23  
22  
21  
A5  
A4  
A3  
????-1.0 2/12/99 ??/??/?? EP  
Characteristics subject to change without notice  
1
1234567...24

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与X28C010NI-25相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
X28C010NI-25T1 RENESAS

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 		EEPROM, 128KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, EXTENDED, LCC-32
X28C010NM-12 INTERSIL

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 		5 Volt, Byte Alterable EEPROM
X28C010NM-12 XICOR

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 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C010NM-12 ROCHESTER

获取价格

 		128KX8 EEPROM 5V, 120ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
X28C010NM-12 RENESAS

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 		128KX8 EEPROM 5V, 120ns, CQCC32, CERAMIC, EXTENDED, LCC-32
X28C010NM-12T1 RENESAS

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 		128KX8 EEPROM 5V, 120ns, CQCC32, CERAMIC, EXTENDED, LCC-32
X28C010NM-15 INTERSIL

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 		5 Volt, Byte Alterable EEPROM
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 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM
X28C010NM-15T1 RENESAS

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 		EEPROM, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, EXTENDED, LCC-32
X28C010NM-20 XICOR

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 		5 Volt, Byte Alterable E2PROM

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