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X2210DI/10

更新时间: 2024-09-12 20:35:15
品牌 Logo 应用领域
XICOR 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 348K
描述
Non-Volatile SRAM, 64X4, 300ns, NMOS, CDIP18, HERMETIC SEALED, CERDIP-18

X2210DI/10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:HERMETIC SEALED, CERDIP-18Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.88最长访问时间:300 ns
JESD-30 代码:R-GDIP-T18JESD-609代码:e0
内存密度:256 bit内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:18
字数:64 words字数代码:64
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:64X4
输出特性:3-STATE可输出:NO
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP18,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified子类别:SRAMs
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:NMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

X2210DI/10 数据手册

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