是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | HERMETIC SEALED, CERDIP-18 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.88 | 最长访问时间: | 300 ns |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T18 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 1024 bit | 内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM |
内存宽度: | 4 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 18 |
字数: | 256 words | 字数代码: | 256 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256X4 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | NO |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP18,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | SRAMs | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | NMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
X2212DI | ETC |
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NVRAM (EEPROM Based) | |
X2212DI/10 | XICOR |
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Non-Volatile SRAM, 256X4, 300ns, NMOS, CDIP18, HERMETIC SEALED, CERDIP-18 | |
X2212DI/5 | XICOR |
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Non-Volatile SRAM, 256X4, 300ns, NMOS, CDIP18, HERMETIC SEALED, CERDIP-18 | |
X2212DM | ETC |
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NVRAM (EEPROM Based) | |
X2212DM/10 | XICOR |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 256X4, 300ns, CMOS, CDIP18, HERMETIC SEALED, CERDIP-18 | |
X2212DM/5 | XICOR |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 256X4, 300ns, CMOS, CDIP18, HERMETIC SEALED, CERDIP-18 | |
X2212DMB | ETC |
获取价格 |
NVRAM (EEPROM Based) | |
X2212DMB/10 | XICOR |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 256X4, 300ns, MOS, CDIP18, | |
X2212DMB/5 | XICOR |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 256X4, 300ns, MOS, CDIP18, | |
X2212I | XICOR |
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Nonvolatile Static RAM |