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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | HERMETIC SEALED, CERDIP-18 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.88 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 300 ns | JESD-30 代码： | R-GDIP-T18 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 1024 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 18 |
| 字数： | 256 words | 字数代码： | 256 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 256X4 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP18,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | SRAMs |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| X2212DM/5 | XICOR |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 256X4, 300ns, CMOS, CDIP18, HERMETIC SEALED, CERDIP-18 |
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| X2212DMB | ETC |
获取价格 |
NVRAM (EEPROM Based) |
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| X2212DMB/10 | XICOR |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 256X4, 300ns, MOS, CDIP18, |
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| X2212DMB/5 | XICOR |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 256X4, 300ns, MOS, CDIP18, |
|
| X2212I | XICOR |
获取价格 |
Nonvolatile Static RAM |
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| X2212I/10 | XICOR |
获取价格 |
Nonvolatile Static RAM |
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| X2212I/5 | XICOR |
获取价格 |
Nonvolatile Static RAM |
|
| X2212P | ETC |
获取价格 |
NVRAM (EEPROM Based) |
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| X2212P/10 | XICOR |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 256X4, 300ns, NMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18 |
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| X2212P/5 | XICOR |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 256X4, 300ns, NMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18 |
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