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X2212PI/5

更新时间: 2024-01-15 19:34:26
品牌 Logo 应用领域
XICOR 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 347K
描述
Non-Volatile SRAM, 256X4, 300ns, NMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18

X2212PI/5 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:PLASTIC, DIP-18Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.88Is Samacsys:N
最长访问时间:300 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T18
JESD-609代码:e0内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:18字数:256 words
字数代码:256工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256X4输出特性:3-STATE
可输出:NO封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP18,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified子类别:SRAMs
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:NMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

X2212PI/5 数据手册

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