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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | HERMETIC SEALED, CERDIP-18 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.88 | 最长访问时间： | 300 ns |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T18 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1024 bit | 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 18 |
| 字数： | 256 words | 字数代码： | 256 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 256X4 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | NO |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP18,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | SRAMs | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | NMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| X2212DM | ETC |
获取价格 |
NVRAM (EEPROM Based) |
|
| X2212DM/10 | XICOR |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 256X4, 300ns, CMOS, CDIP18, HERMETIC SEALED, CERDIP-18 |
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| X2212DM/5 | XICOR |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 256X4, 300ns, CMOS, CDIP18, HERMETIC SEALED, CERDIP-18 |
|
| X2212DMB | ETC |
获取价格 |
NVRAM (EEPROM Based) |
|
| X2212DMB/10 | XICOR |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 256X4, 300ns, MOS, CDIP18, |
|
| X2212DMB/5 | XICOR |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 256X4, 300ns, MOS, CDIP18, |
|
| X2212I | XICOR |
获取价格 |
Nonvolatile Static RAM |
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| X2212I/10 | XICOR |
获取价格 |
Nonvolatile Static RAM |
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| X2212I/5 | XICOR |
获取价格 |
Nonvolatile Static RAM |
|
| X2212P | ETC |
获取价格 |
NVRAM (EEPROM Based) |
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