是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | PLASTIC, DIP-18 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.88 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 300 ns | JESD-30 代码: | R-PDIP-T18 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 1024 bit |
内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM | 内存宽度: | 4 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 18 | 字数: | 256 words |
字数代码: | 256 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 256X4 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | NO | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP18,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | SRAMs | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | NMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
X2212DM/10 | XICOR |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 256X4, 300ns, CMOS, CDIP18, HERMETIC SEALED, CERDIP-18 |
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X2212DM/5 | XICOR |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 256X4, 300ns, CMOS, CDIP18, HERMETIC SEALED, CERDIP-18 |
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X2212DMB | ETC |
获取价格 |
NVRAM (EEPROM Based) |
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X2212DMB/10 | XICOR |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 256X4, 300ns, MOS, CDIP18, |
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X2212DMB/5 | XICOR |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 256X4, 300ns, MOS, CDIP18, |
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X2212I | XICOR |
获取价格 |
Nonvolatile Static RAM |
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X2212I/10 | XICOR |
获取价格 |
Nonvolatile Static RAM |
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X2212I/5 | XICOR |
获取价格 |
Nonvolatile Static RAM |
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X2212P | ETC |
获取价格 |
NVRAM (EEPROM Based) |
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X2212P/10 | XICOR |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 256X4, 300ns, NMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18 |
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