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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | PLASTIC, DIP-18 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.88 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 300 ns | JESD-30 代码： | R-PDIP-T18 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 1024 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 18 | 字数： | 256 words |
| 字数代码： | 256 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 256X4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | NO | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP18,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | SRAMs | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | NMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| X2212/10 | XICOR |
获取价格 |
Nonvolatile Static RAM |
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| X2212/5 | XICOR |
获取价格 |
Nonvolatile Static RAM |
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| X2212AD | XICOR |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 256X4, 250ns, NMOS, CDIP18, HERMETIC SEALED, CERDIP-18 |
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| X2212AD/10 | XICOR |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 256X4, 250ns, MOS, CDIP18, |
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| X2212AD/5 | XICOR |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 256X4, 250ns, MOS, CDIP18, |
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| X2212AP | XICOR |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 256X4, 250ns, NMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18 |
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| X2212AP/10 | XICOR |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 256X4, 250ns, MOS, PDIP18, |
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| X2212AP/5 | XICOR |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 256X4, 250ns, MOS, PDIP18, |
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| X2212D | XICOR |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 256X4, 300ns, NMOS, CDIP18, HERMETIC SEALED, CERDIP-18 |
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| X2212D/10 | XICOR |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 256X4, 300ns, NMOS, CDIP18, HERMETIC SEALED, CERDIP-18 |
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