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X2212AP/10

更新时间: 2024-01-21 13:13:26
品牌 Logo 应用领域
XICOR 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 347K
描述
Non-Volatile SRAM, 256X4, 250ns, MOS, PDIP18,

X2212AP/10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.83
最长访问时间:250 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T18
JESD-609代码:e0内存密度:1024 bit
内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM内存宽度:4
混合内存类型:N/A端子数量:18
字数:256 words字数代码:256
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256X4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP18,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
电源:5 V认证状态:Not Qualified
子类别:SRAMs标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:MOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

X2212AP/10 数据手册

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