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X20C17P-45

更新时间： 2024-11-12 22:09:15

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XICOR		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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描述
High Speed AUTOSTORE⑩ NOVRAM

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X20C17P-45 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	PLASTIC, DIP-24	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	45 ns	其他特性：	RETENTION/ENDURANCE=100 YEARS/100000 CYCLES
JESD-30 代码：	R-PDIP-T24	JESD-609代码：	e0
长度：	31.685 mm	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	24	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP24,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.87 mm	最大待机电流：	0.00025 A
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

X20C17P-45 数据手册

APPLICATION NOTE

A V A I L A B L E

AN56

X20C17

16K

X20C17

2K x 8 Bit

High Speed AUTOSTORE™ NOVRAM

FEATURES

DESCRIPTION

• 24-Pin Standard SRAM DIP Pinout

• Fast Access Time: 35ns, 45ns, 55ns

• High Reliability

TheXicorX20C17isa2Kx8NOVRAMfeaturingahigh-

speed static RAM overlaid bit-for-bit with a nonvolatile

electrically erasable PROM (E²PROM) and the

AUTOSTORE feature which automatically saves the

RAMcontentstoE²PROMatpower-down. TheX20C17

isfabricatedwithadvancedCMOSfloatinggatetechnol-

ogy to achieve high speed with low power and wide

power-supply margin. The X20C17 features a compat-

ible JEDEC approved byte-wide memory pinout for

industry standard SRAMs.

—Endurance: 1,000,000 Nonvolatile Store

Operations

—Retention: 100 Years Minimum

• AUTOSTORE™ NOVRAM

—Automatically Stores SRAM Data Into the

E²PROM Array When V_CCLow Threshold is

Detected

—E²PROM Data Automatically Recalled Into

RAM Upon Power-up

The NOVRAM design allows data to be easily trans-

ferred from RAM to E²PROM (store) and E²PROM to

RAM (recall). The store operation is completed in 2.5ms

or less. An automatic array recall operation reloads the

contents of the E²PROM into RAM upon power-up.

• Low Power CMOS

—Standby: 250µA

• Infinite E²PROM Array Recall, and RAM Read

and Write Cycles

Xicor NOVRAMS are designed for unlimited write

operations to RAM, either from the host or recalls from

E²PROM, andaminimum1,000,000storeoperationsto

the E²PROM. Data retention is specified to be greater

than 100 years.

PIN CONFIGURATION

PLASTIC

X20C17

I/O

2015 ILL F02.1

AUTOSTORE™ NOVRAM is a trademark of Xicor, Inc.

2015-2.5 8/1/97 T1/C0/D0 SH

Characteristics subject to change without notice

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