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X20C17SI-45

更新时间： 2024-11-13 20:03:27

品牌	Logo	应用领域
XICOR		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	178K
描述
Non-Volatile SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOIC-28

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X20C17SI-45 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	PLASTIC, SOIC-28	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最长访问时间：	45 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	JESD-609代码：	e0
长度：	17.9 mm	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	2KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP28,.4	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.65 mm
最大待机电流：	0.00025 A	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.1 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.5 mm	Base Number Matches：	1

X20C17SI-45 数据手册

APPLICATION NOTE

A V A I L A B L E

AN56

16K

2K x 8 Bit

X20C17

High Speed AUTOSTORE^™NOVRAM

DESCRIPTION

FEATURES

• 24-Pin Standard SRAM DIP Pinout

• 28-Pin SOIC

• Fast Access Time: 35ns, 45ns, 55ns

• High Reliability

—Endurance: 1,000,000 Nonvolatile Store

Operations

The Xicor X20C17 is a 2K x 8 NOVRAM featuring a

high-speed static RAM overlaid bit-for-bit with a non-

volatile electrically erasable PROM (E²PROM) and the

AUTO-STORE feature which automatically saves the

RAM contents to E²PROM at power-down. The

X20C17 is fabricated with advanced CMOS ﬂoating

gate technology to achieve high speed with low power

and wide power-supply margin. The X20C17 features

a compatible JEDEC approved byte-wide memory

pinout for industry standard SRAMs.

—Retention: 100Years Minimum

• AUTOSTORE™ NOVRAM

—Automatically stores SRAM data into the

E²PROM array when V low threshold is

detected

The NOVRAM design allows data to be easily trans-

ferred from RAM to E²PROM (store) and E²PROM to

RAM (recall). The store operation is completed in

2.5ms or less. An automatic array recall operation

reloads the contents of the E²PROM into RAM upon

power-up.

—E²PROM data automatically recalled into RAM

upon power-up

• Low Power CMOS

—Standby: 250µA

• Inﬁnite E²PROM array recall, and RAM read and

write cycles

Xicor NOVRAMS are designed for unlimited write

?operations to RAM, either from the host or recalls

from E²PROM, and a minimum 1,000,000 store opera-

tions to the E²PROM. Data retention is speciﬁed to be

greater than 100 years.

BLOCK DIAGRAM

Sense

EEPROM Array

High Speed

Row

Select

A -A

2K x 8

SRAM

Array

Control

Logic

Column

Select

A -A

I/OS

A -A

I/O -I/O

Xicor, Inc. 2000 Patents Pending

2015-2.5 10/27/00 EP

Characteristics subject to change without notice. 1 of 12

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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