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WNMD2162A

更新时间： 2024-04-09 18:59:34

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MOSFET

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WNMD2162A 数据手册

WNMD2162A

2500

2000

1500

1000

500

V_GS=0V

f=1MHZ

T=150^oC

C_ISS

T=25^oC

C_OSS

C_RSS

0.0

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

V_DS-Drain to Source Voltage(V

V_SD- Source to Drain Voltage (V)

Capacitance

Body diode forward voltage

100

Limited by R_DS(on)*

T_A=25^oC

100us

1ms

10ms

100ms

0.1

0.01

10s

T_A=25^oC

B_VDSSLimited

Single Pulse

1E-4

1E-3

0.01

0.1

100

0.1

100

Time(s)

V_DS-Drian-to-Source Votage(V)

* V_GS> minimum V_GSat which R_DS(on)is specified

Single pulse power

Safe operating power

V_DD=10V,

I_D=4.8A

Qg(nC)

Gate Charge Characteristics

Will Semiconductor Ltd.

Jan, 2015 - Rev.1.1

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