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W25Q40BWSVIG

更新时间: 2024-11-11 01:00:27
品牌 Logo 应用领域
华邦 - WINBOND 时钟光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
73页 2697K
描述
1.8V 4M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI

W25Q40BWSVIG 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:VSOP, TSOP8,.25Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.73最大时钟频率 (fCLK):80 MHz
数据保留时间-最小值:20耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G8长度:4.9 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:1功能数量:1
端子数量:8字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:4MX1封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VSOP封装等效代码:TSOP8,.25
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE
并行/串行:SERIAL电源:1.8 V
编程电压:1.8 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1 mm串行总线类型:SPI
最大待机电流:0.00001 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.025 mA最大供电电压 (Vsup):1.95 V
最小供电电压 (Vsup):1.65 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
类型:NOR TYPE宽度:3.9 mm
写保护:HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches:1

W25Q40BWSVIG 数据手册

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W25Q40BW  
1.8V 4M-BIT  
SERIAL FLASH MEMORY WITH  
DUAL AND QUAD SPI  
Publication Release Date: October 11, 2013  
Revision F  
- 1 -  

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